一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池大規(guī)模生產(chǎn)時的堿金屬摻雜處理法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911203612.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111223963B | 公開(公告)日 | 2021-06-04 |
申請公布號 | CN111223963B | 申請公布日 | 2021-06-04 |
分類號 | H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 胡煜霖;劉寬菲;任宇航 | 申請(專利權(quán))人 | 尚越光電科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州知見專利代理有限公司 | 代理人 | 趙越劍 |
地址 | 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)五常街道余杭塘路1999號尚越綠谷中心1幢603室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池大規(guī)模生產(chǎn)時的堿金屬摻雜處理法,依次包括如下步驟:(1)先沉積一層Mo背電極層;(2)再沉積一層堿金屬鹵化物;(3)再共蒸發(fā)In、Ga、第六主族固態(tài)單質(zhì),(4)再共蒸發(fā)Cu、第六主族固態(tài)單質(zhì);(5)再沉積一層堿金屬鹵化物;(6)再共蒸發(fā)Cu、第六主族固態(tài)單質(zhì);(7)再共蒸發(fā)In、Ga、第六主族固態(tài)單質(zhì);(8)最后再沉積一層堿金屬鹵化物;(9)退火處理。本發(fā)明能夠有效增加Mo層與CIGS層的附著力、增加CIGS空穴濃度、降低薄膜表面粗糙度、減少CdS緩沖層厚度并且提高薄膜太陽能電池開路電壓、光電轉(zhuǎn)換效率。 |
