一種通過(guò)等離子體輝光光譜來(lái)控制磁控濺射鍍膜雜質(zhì)含量的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011601018.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112746259A 公開(kāi)（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112746259A 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類號(hào) C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14;C23C14/08 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 瞿佳華;劉寬菲;任宇航 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 尚越光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州知見(jiàn)專利代理有限公司 代理人 趙越劍
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)五常街道余杭塘路1999號(hào)尚越綠谷中心1幢603室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)等離子體輝光光譜來(lái)控制磁控濺射鍍膜雜質(zhì)含量的方法，光譜分析工作站分析收集到的光譜內(nèi)容進(jìn)行處理，對(duì)其中的光譜信息進(jìn)行表征，并得出等離子體的光譜圖；將所得光譜圖和標(biāo)準(zhǔn)光譜圖進(jìn)行對(duì)比分析，若光譜圖正常，則磁控濺射工藝正常進(jìn)行，若光譜圖異常，則自動(dòng)停止磁控濺射工藝，并采取修正措施后繼續(xù)磁控濺射；最終磁控濺射鍍膜獲得Mo背電極或TCO層。本發(fā)明通過(guò)輝光放電過(guò)程進(jìn)行監(jiān)控，能準(zhǔn)確檢測(cè)出惰性氣體氛圍和靶材中的雜質(zhì)，同時(shí)能確定雜質(zhì)的種類，針對(duì)不同的雜質(zhì)做出準(zhǔn)確有效的調(diào)控措施，從而有效控制鍍膜中的雜質(zhì)含量，并確保鍍膜質(zhì)量。