新型等離子體增強化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110023434.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112575318A 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN112575318A 申請公布日 2021-03-30
分類號 C23C16/50(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 邵海平;李中華;劉莉云;曹英朝 申請（專利權(quán)）人 廣東諦思納為新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市千納專利代理有限公司 代理人 陳培瓊
地址 523000廣東省東莞市長安鎮(zhèn)沙頭社區(qū)靖海西路99號B棟二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型等離子體增強化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)，中頻電源、放電電極、導(dǎo)向軸和主動輪；本發(fā)明的結(jié)構(gòu)設(shè)計巧妙、合理，由于永磁體是固定在所述放電電極內(nèi)，而且放電電極是固定不可旋轉(zhuǎn)，避免了因電極旋轉(zhuǎn)切割磁力線產(chǎn)生的電磁阻力的影響，大幅提高被鍍基膜的運行速度，進而提高鍍膜效率。而且被鍍基膜的運動是由獨立的主動輪帶動，有效地避免了放電電極切割磁力線產(chǎn)生的感生電壓問題。同時通過導(dǎo)向軸確保被鍍基膜經(jīng)過高密度等離子體區(qū)域時終于保持與放電電極之間的距離是相對恒定，進而能確保在被鍍基膜上沉積的氧化物薄膜也是均勻一致的，有效提高了氧化物高阻隔膜產(chǎn)品的成品率，確保產(chǎn)品質(zhì)量。??