一種適用于30um金絲鍵合芯片電容器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021289219.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213459436U 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN213459436U 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01G4/005（2006.01）I;H01G4/008（2006.01）I;H01G4/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭小麗;曹志學(xué);張亞梅;劉東陽;楊金勇;吳良臣;黃琳 申請（專利權(quán)）人 成都宏科電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都睿道專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陶紅
地址 610100四川省成都市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（龍泉驛）星光中路20號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種適用于30um金絲鍵合芯片電容器，從上之下依次設(shè)有第一金電極層、第一過渡金屬層、陶瓷介質(zhì)體、第二過渡金屬層和第二金電極層；第一金電極層的厚度大于等于3μm；第一過渡金屬層包括多層金屬層；第二過渡金屬層包括多層金屬層；第二金電極層的厚度大于等于3μm。本實(shí)用新型有效的解決了傳統(tǒng)電容器與直徑較細(xì)金絲鍵合強(qiáng)度不夠的問題。