一種多層芯片電容器的模塊化制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910569256.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110379624B 公開（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN110379624B 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) H01G4/30（2006.01）I;H01G4/232（2006.01）I;H01G4/12（2006.01）I;H01G4/005（2006.01）I;H01G4/008（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐曉勇;熊文;林廣;曹志學(xué) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都宏科電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都睿道專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陶紅
地址 610199四川省成都市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（龍泉驛）星光中路20號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種多層芯片電容器的模塊化制備方法，其步驟為：將陶瓷漿料流延成型，制備陶瓷薄膜；印刷內(nèi)電極，層疊、壓合陶瓷薄膜；將層疊體切割成多個(gè)子模塊；將子模塊進(jìn)行排粘燒結(jié)；將排粘燒結(jié)后的子模塊多線切割為多個(gè)的模片；將模片的切割面進(jìn)行研磨；在模片的表面濺射外電極；將模片切割為若干只多層芯片電容器成品。本發(fā)明通過(guò)三道切割工藝，首先將層疊體切割為多個(gè)子模塊，直接將子模塊排粘燒結(jié)，然后再進(jìn)行多線切割，最后切割成單只多層芯片電容器，能夠改善產(chǎn)品的表面質(zhì)量；無(wú)需倒角工序，不會(huì)存在邊緣缺損；無(wú)需光刻工序，避免外觀顏色異常、金層劃痕、露底等缺陷。