一種功率放大器偏置電位瞬態(tài)補償電路技術(shù)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110925352.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113595529A 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN113595529A 申請公布日 2021-11-02
分類號 H03K3/02（2006.01）I;H03F1/30（2006.01）I;H03F3/21（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 王國瑞;張福泉;汪金銘;王圣禮 申請（專利權(quán)）人 上海旻森電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京眾允專利代理有限公司 代理人 沈小青
地址 200120上海市浦東新區(qū)秋月路26號矽岸國際1號樓3樓D室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種功率放大器偏置電位瞬態(tài)補償電路技術(shù)，包括窄脈沖產(chǎn)生器，所述窄脈沖產(chǎn)生器的輸出端設(shè)有第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管的輸出端設(shè)有緩沖器，所述緩沖器的輸出端設(shè)有第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的輸出端設(shè)有驅(qū)動器，所述第一開關(guān)晶體管的輸出端設(shè)有第一電容器、第二電容器以及第三電容器，且所述第一電容器與第一開關(guān)晶體管電性連接。本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一個隨時間線性變化的三角波上沖補償信號，相比業(yè)界通用的指數(shù)衰減型補償信號，在⊿t時段內(nèi)對EVM性能的補償效果更優(yōu)，且補償信號持續(xù)時長參數(shù)對工藝、溫度、電壓等因素波動更加不敏感，⊿t時段內(nèi)EVM性能的量產(chǎn)穩(wěn)定性更好。