一種發(fā)光二極管外延片的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710334928.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107331738B 公開（公告）日 2019-12-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN107331738B 申請(qǐng)公布日 2019-12-06
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）; H01L33/06（2010.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金雅馨; 萬(wàn)林; 胡加輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華燦光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 徐立
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片的制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括：提供一襯底；在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、成核層、未摻雜氮化鎵層、低溫改善層、第一N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層；其中，低溫改善層為未摻雜的AlxGa1?xN層，0≤x≤1，且低溫改善層的生長(zhǎng)溫度為500～750℃。本發(fā)明通過(guò)在未摻雜氮化鎵層上低溫(500～750℃)生長(zhǎng)未摻雜的AlxGa1?xN層，0≤x≤1，AlxGa1?xN層的生長(zhǎng)溫度較低，質(zhì)量較差，打亂了外延片中晶體的生長(zhǎng)方向，從原本單一地沿著晶格的方向變成雜亂無(wú)章，進(jìn)而改變了晶格失配和熱失配產(chǎn)生的應(yīng)力的方向，使得應(yīng)力得到有效釋放，外延片發(fā)光波長(zhǎng)的均勻性提高。