一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810634505.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109065678B 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN109065678B 申請公布日 2020-04-10
分類號 H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪威威;王倩;周飚;胡加輝 申請（專利權(quán)）人 華燦光電股份有限公司
代理機構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 徐立
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管制造領(lǐng)域。通過將有源層中的壘層設(shè)置為包括依次層疊的InxGa1?xN子壘層、AlaInyN子壘層、AlbGa1?b?zInzN子壘層、AlcGa1?cN子壘層、AlbGa1?b?zInzN子壘層、AlaInyN子壘層、InxGa1?xN子壘層，這種對稱生長的壘層結(jié)構(gòu)，在與阱層交替生長時，可減小外延層中整體積累的應力，同時也能夠減小其在自身生長過程中引入的應力，進而減小外延層中由應力引起的壓電極化現(xiàn)象，同時，壘層中分別設(shè)置在AlcGa1?cN子壘層兩側(cè)的InxGa1?xN子壘層可減小壘層整體與InGaN阱層之間的晶格失配，進一步減小有源層中的壓電極化現(xiàn)象，進而減少有源層中的能帶彎曲情況，增大電子和空穴波函數(shù)空間重疊，進而增大電子與空穴的有效輻射復合率，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。