一種晶圓的加工方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810688681.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109048504B | 公開(公告)日 | 2020-01-14 |
申請公布號 | CN109048504B | 申請公布日 | 2020-01-14 |
分類號 | B24B1/00(2006.01); B24B37/005(2012.01); B24B37/04(2012.01); B24B37/34(2012.01); B24B51/00(2006.01) | 分類 | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 馬瑋辰; 汪洋; 向光勝; 葉青賢 | 申請(專利權(quán))人 | 華燦光電股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人 | 徐立 |
地址 | 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種晶圓的加工方法,屬于半導體技術(shù)領域。所述加工方法包括:確定待加工晶圓的目標厚度值并上傳至運算系統(tǒng);將待加工晶圓粘結(jié)到基板上,采用測量系統(tǒng)測量待加工晶圓的粘片后厚度值并上傳至運算系統(tǒng);確定待加工晶圓的減薄目標厚度值、研磨目標厚度值和拋光目標厚度值并上傳至運算系統(tǒng),運算系統(tǒng)根據(jù)存儲的厚度值依次計算出待加工晶圓的減薄量、研磨量和拋光量;根據(jù)待加工晶圓的減薄量、研磨量和拋光量依次對待加工晶圓進行減薄、研磨和拋光操作;去除拋光后的晶圓與基板之間的粘結(jié)部,得到加工后的晶圓。該加工方法減少了加工過程中的人為干預,提高了晶圓的加工效率,同時保證了LED芯片的質(zhì)量。 |
