一種發(fā)光二極管芯片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810717061.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109166953B 公開(kāi)（公告）日 2020-04-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN109166953B 申請(qǐng)公布日 2020-04-10
分類號(hào) H01L33/46;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭炳磊;魏曉駿;葛永暉;呂蒙普;李鵬;胡加輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華燦光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 徐立
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管芯片包括襯底、N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層、透明導(dǎo)電薄膜、P型電極、N型電極和復(fù)合層，N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層依次層疊在襯底的第一表面上，P型半導(dǎo)體層上設(shè)有延伸至N型半導(dǎo)體層的凹槽，透明導(dǎo)電薄膜鋪設(shè)在P型半導(dǎo)體層上，P型電極設(shè)置在透明導(dǎo)電薄膜上，N型電極設(shè)置在凹槽內(nèi)的N型半導(dǎo)體層上；復(fù)合層包括若干金屬納米顆粒和無(wú)機(jī)材料層，若干金屬納米顆粒間隔設(shè)置在襯底的第二表面上，無(wú)機(jī)材料層鋪設(shè)在若干納米銀顆粒和若干納米銀顆粒之間的襯底的第二表面上，復(fù)合層的折射率小于或等于1。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、制作成本低、制作周期短。