激光二極管及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911047057.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111106534B | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-05-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111106534B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/22(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蘭葉;吳志浩 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 華燦光電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 呂耀萍 |
| 地址 | 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開(kāi)公開(kāi)了一種激光二極管及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括襯底、外延層、N型電極、P型電極、第一反射層和第二反射層；外延層包括緩沖層、N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；P型半導(dǎo)體層的表面為脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，P型半導(dǎo)體層上設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，P型半導(dǎo)體層和有源層形成柱體結(jié)構(gòu)，柱體結(jié)構(gòu)的側(cè)面包括第一曲面、第一平面、第二曲面和第二平面，第一平面和第二平面平行于脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中脊的延伸方向，第一曲面和第二曲面上點(diǎn)的曲率在從第一平面到第二平面的方向上先減小至0、再保持為0、最后從0開(kāi)始增大；第一反射層和第二反射層分別鋪設(shè)在第一曲面和第二曲面上。本公開(kāi)可提高激光二極管的出光效率。?? |
