一種發(fā)光二極管的芯片的光電性能的測(cè)試方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810276658.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108598012B 公開(kāi)（公告）日 2021-01-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN108598012B 申請(qǐng)公布日 2021-01-12
分類(lèi)號(hào) H01L21/66 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 葉青賢;楊中和;童詠華 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 華燦光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 徐立
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管的芯片的光電性能的測(cè)試方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。在發(fā)光二極管的芯片的發(fā)光性能的測(cè)試過(guò)程中，通過(guò)將芯片倒膜、擴(kuò)膜中所使用的承載膜更換為由聚氯乙烯與聚鄰苯二甲酸乙二醇酯制作的白膜。這種材料的白膜對(duì)于芯片的光的透過(guò)率較高，反射率較小。避免了當(dāng)測(cè)量設(shè)備收集分析倒裝芯片的發(fā)光數(shù)據(jù)時(shí)，倒裝芯片發(fā)出的光難以透過(guò)藍(lán)膜的情況，保證了測(cè)量設(shè)備采集到的發(fā)光二極管的芯片的光的數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，提高了發(fā)光二極管的芯片的發(fā)光性能的測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，同時(shí)也能夠保證放置在白膜上的多個(gè)芯片顆粒的測(cè)試結(jié)果均較為準(zhǔn)確，便于工作人員根據(jù)最終獲得的同批多個(gè)芯片顆粒的測(cè)試結(jié)果對(duì)芯片進(jìn)行選擇與使用。