諧振腔發(fā)光二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910215605.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110071200B 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN110071200B 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L33/10;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧俊;胡任浩;胡加輝;周飚 申請（專利權(quán)）人 華燦光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 徐立
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種諧振腔發(fā)光二極管及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述諧振腔發(fā)光二極管包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的N型層、有源層、P型層、透明導(dǎo)電層、鈍化層，所述P型層和所述透明導(dǎo)電層上均設(shè)有P型電極，所述N型層上設(shè)有N型電極，所述襯底的遠(yuǎn)離所述N型層的一面設(shè)有下反射鏡層，所述鈍化層上設(shè)有上反射鏡層。此時可以通過提高Al在GaN中的摻雜濃度即可達(dá)到下反射鏡高反射率的要求。由于下反射鏡層設(shè)置在襯底的遠(yuǎn)離N型層的一面上，因此提高Al的濃度不會影響RCLED的外延質(zhì)量。