一種SMF增強(qiáng)功率裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721494993.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN207676906U | 公開（公告）日 | 2018-07-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN207676906U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-07-31 |
| 分類號(hào) | H01L25/16;H01L23/495 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李運(yùn)鵬;郭小紅;黃傳傳;李強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 薩銳微電子（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海宣宜專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉君 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市贛江新區(qū)直管區(qū)儒樂湖399號(hào)四樓409室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種SMF增強(qiáng)功率裝置，包括外殼、芯片和瞬態(tài)抑制二極管，外殼底部設(shè)置有底板，外殼內(nèi)設(shè)置有框架凸臺(tái)，框架凸臺(tái)下方設(shè)置有芯片，芯片通過導(dǎo)線并聯(lián)連接瞬態(tài)抑制二極管，框架凸臺(tái)上設(shè)置有正方形凸臺(tái)，框架凸臺(tái)、正方形凸臺(tái)和芯片構(gòu)成放大器組件，放大器組件使得浪涌能力達(dá)到400W的功率，芯片包括精密元器件層、隔離層和功率放大層，功率放大層外層設(shè)置有精密元器件層，精密元器件層外層設(shè)置有隔離層；本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了高科技發(fā)展，電子產(chǎn)品體積小，功能增強(qiáng)，低成本，瞬態(tài)功率大，漏電流低，擊穿電壓偏差，無損壞極限，我們進(jìn)行使用SOD?123的浪涌能力加強(qiáng)做到400W的水平，成本低，電路板面積減少。 |
