一種Ni-P-C-Si-W多元微米晶鍍層、鍍液及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910723367.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110484942A 公開（公告）日 2019-11-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN110484942A 申請(qǐng)公布日 2019-11-22
分類號(hào) C25D3/56;C22C19/03;C22C32/00;C25D15/00;C23C18/50 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 鞠輝;蘇長(zhǎng)偉;張長(zhǎng)科;方艷昭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南納菲爾新材料科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙市融智專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 湖南納菲爾新材料科技股份有限公司;湖南常德納菲爾新材料科技有限公司
地址 410000 湖南省長(zhǎng)沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)金星路118號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Ni?P?C?Si?W多元微米晶鍍層、鍍液及其制備方法，本發(fā)明所得供的鍍液具有化學(xué)鍍/電鍍雙重作用，可快速穩(wěn)定的獲得微米晶鍍層，本發(fā)明所提供的鍍液是以化學(xué)鍍鎳磷溶液為基礎(chǔ)，加入了絡(luò)合能力強(qiáng)的絡(luò)合劑，以及具有穩(wěn)定作用的鎢酸鈉作為穩(wěn)定劑，同時(shí)加入碳化硅粉，碳化硅粉吸附到陰極表面，為鎳磷鎢的沉積提高了晶核；碳化硅粉大量且次序地吸附沉積在鎳磷鍍層上，有效控制了鎳磷鎢晶核的生長(zhǎng)，最終獲得了微米晶的Ni?P?C?Si?W多元微米晶鍍層。本發(fā)明的制備方法，采用化學(xué)鍍/電鍍雙重工藝，操作簡(jiǎn)單，成本低，電流效率高，深鍍能力好；所得鍍層具有優(yōu)良的耐磨性和耐腐蝕性，可以替代六價(jià)鉻電鍍，應(yīng)用前景廣闊。