極化增強(qiáng)窄帶AlGaNp-i-n型紫外探測(cè)器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010989092.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112018210A | 公開（公告）日 | 2020-12-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112018210A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-01 |
| 分類號(hào) | H01L31/105(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 侯汧妤;陳敦軍;張開驍;胡利群;張廷志 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京冠鼎光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江蘇斐多律師事務(wù)所 | 代理人 | 張佳妮 |
| 地址 | 210046江蘇省南京市棲霞區(qū)南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)恒泰路匯智科技園B2棟1006室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種極化增強(qiáng)窄帶AlGaN p?i?n型紫外探測(cè)器，其結(jié)構(gòu)自下而上依次包括：襯底層、模板層、光學(xué)過濾層、摻雜層、過渡層、吸收層、極化調(diào)制層、歐姆接觸層、鈍化層；其特征在于：所述模板層為非故意摻雜的AlN，所述光學(xué)過濾層為Al組分為0.45的n型重?fù)诫s的AlGaN，所述摻雜層為Al組分為0.35的n型重?fù)诫s的AlGaN，所述過渡層為Al組分漸變的n型AlGaN，所述吸收層為Al組分為0.3的非故意摻雜AlGaN，所述極化調(diào)制層為Al組分為0.15的p型AlGaN。還公開了其制備方法。本發(fā)明通過異質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行光學(xué)探測(cè)窗口設(shè)計(jì)，并引入極化效應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)響應(yīng)信號(hào)在300?320nm范圍內(nèi)、半峰寬(FWHM)為8nm的窄帶探測(cè)。?? |
