叉指狀p-GaN柵結(jié)構(gòu)HEMT型紫外探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010373617.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111524973A 公開（公告）日 2020-08-11
申請公布號 CN111524973A 申請公布日 2020-08-11
分類號 H01L29/778(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 仲大佑;雷建明;郭慧;胡利群;張廷志;張開驍 申請（專利權(quán)）人 南京冠鼎光電科技有限公司
代理機構(gòu) 江蘇斐多律師事務(wù)所 代理人 張佳妮
地址 210046江蘇省南京市棲霞區(qū)南京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)恒泰路匯智科技園B2棟1006室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種叉指狀p?GaN柵結(jié)構(gòu)HEMT型紫外探測器，其中所述p?GaN層在AlGaN層上呈往復(fù)式折線型分布，在AlGaN層臺面設(shè)有多根平行的橫向p?GaN線，且通過縱向p?GaN線將所有平行的p?GaN線首尾相連，形成一根完整的p?GaN線，p?GaN線將AlGaN層臺面分割成兩個部分；還包括設(shè)置在AlGaN層上的歐姆接觸電極，所述歐姆接觸電極為叉指結(jié)構(gòu)，線形的叉指部分生長在橫向p?GaN線之間，與橫向p?GaN線平行。本發(fā)明叉指型的電極和特殊的p?GaN設(shè)計減小了電極間距，增加有效受光面積，提高樣品利用率，提高了器件的光增益。??