一種臺(tái)面型二極管的加工工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811441763.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109585569A 公開（公告）日 2019-04-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN109585569A 申請(qǐng)公布日 2019-04-05
分類號(hào) H01L29/861（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳強(qiáng)德 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 嘉興實(shí)新企業(yè)服務(wù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 314001 浙江省嘉興市南湖區(qū)耀城廣場(chǎng)11、12幢11-301室-137
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種臺(tái)面型二極管的加工工藝，該加工工藝包括以下步驟：擴(kuò)散片制作完成→光刻溝槽→腐蝕圓形槽臺(tái)面→圓形槽臺(tái)面生長(zhǎng)二氧化硅膜及清洗處理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃鈍化→表面腐蝕清洗。該發(fā)明通過(guò)按體積比，將硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結(jié)臺(tái)面溝槽將臺(tái)面結(jié)構(gòu)二極管PN結(jié)幾何形狀腐蝕出成圓形狀，圓形具有平緩的弧形表面，可以有最高的擊穿電壓，有效的提高了器件的擊穿電壓效果。