集成磁隔離芯片的邊沿檢測電路及邊沿轉(zhuǎn)換電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910776770.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110518899A | 公開(公告)日 | 2019-11-29 |
申請公布號 | CN110518899A | 申請公布日 | 2019-11-29 |
分類號 | H03K5/125;H03K5/06 | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 王佐;袁思彤;文守甫;王建斌;羅和平;程瑜;李威 | 申請(專利權(quán))人 | 宜賓市敘芯半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 成都惠迪專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉勛 |
地址 | 644000 四川省宜賓市敘州區(qū)城北新區(qū)青龍街2號1棟11層1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 集成磁隔離芯片的邊沿檢測電路和邊沿轉(zhuǎn)換電路,涉及集成電路技術(shù)。本發(fā)明包括:第一PMOS管,其源極接參考高電平,漏極接第二PMOS管的源極,柵極接信號輸入端和第一輸出點;第二PMOS管,其漏極接第二參考點,其柵極接第三PMOS管的柵極和漏極;第三PMOS管,其源極接參考高電平,其漏極通過第一電流源接地;第四NMOS管,其源極接地,柵極和漏極接第五NMOS管的柵極,漏極還接第二電流源的輸出端;第五NMOS管,其源極接第六NMOS管的漏極,其漏極接第二輸出點,漏極還通過電容接地;第六NMOS管,其源極接地,柵極接信號輸入端。本發(fā)明的優(yōu)點是電壓比較穩(wěn)定,沒有了漏極寄生電容充放電的問題,開關(guān)速度快,而且沒有電荷分流的問題。同時解決了數(shù)字控制信號電荷注入的問題。 |
