集成磁隔離芯片的邊沿檢測(cè)電路及邊沿轉(zhuǎn)換電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910776770.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110518899A 公開（公告）日 2019-11-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN110518899A 申請(qǐng)公布日 2019-11-29
分類號(hào) H03K5/125;H03K5/06 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 王佐;袁思彤;文守甫;王建斌;羅和平;程瑜;李威 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 宜賓市敘芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉勛
地址 644000 四川省宜賓市敘州區(qū)城北新區(qū)青龍街2號(hào)1棟11層1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 集成磁隔離芯片的邊沿檢測(cè)電路和邊沿轉(zhuǎn)換電路，涉及集成電路技術(shù)。本發(fā)明包括：第一PMOS管，其源極接參考高電平，漏極接第二PMOS管的源極，柵極接信號(hào)輸入端和第一輸出點(diǎn)；第二PMOS管，其漏極接第二參考點(diǎn)，其柵極接第三PMOS管的柵極和漏極；第三PMOS管，其源極接參考高電平，其漏極通過第一電流源接地；第四NMOS管，其源極接地，柵極和漏極接第五NMOS管的柵極，漏極還接第二電流源的輸出端；第五NMOS管，其源極接第六NMOS管的漏極，其漏極接第二輸出點(diǎn)，漏極還通過電容接地；第六NMOS管，其源極接地，柵極接信號(hào)輸入端。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是電壓比較穩(wěn)定，沒有了漏極寄生電容充放電的問題，開關(guān)速度快，而且沒有電荷分流的問題。同時(shí)解決了數(shù)字控制信號(hào)電荷注入的問題。