一種半導(dǎo)體芯片的裂片方法及裂片裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110581531.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113371989A | 公開(公告)日 | 2021-09-10 |
申請公布號 | CN113371989A | 申請公布日 | 2021-09-10 |
分類號 | C03B33/033(2006.01)I;C03B33/08(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 分類 | 玻璃;礦棉或渣棉; |
發(fā)明人 | 施心星 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州鐳明激光科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京恒博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張曉芳 |
地址 | 215123江蘇省蘇州市金雞湖大道99號04幢102室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種半導(dǎo)體芯片的裂片方法及裂片裝置,半導(dǎo)體芯片的裂片方法包括:使用第一激光沿著玻璃基板的預(yù)設(shè)切割區(qū)移動,并對玻璃基板的預(yù)設(shè)切割區(qū)進(jìn)行切割,以在玻璃基板上的預(yù)設(shè)切割區(qū)處形成多個孔洞;使用第二激光沿著玻璃基板的預(yù)設(shè)切割區(qū)移動,并對玻璃基板的預(yù)設(shè)切割區(qū)進(jìn)行加熱處理,以形成多個預(yù)定尺寸的芯片顆粒。本申請中,對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行裂片時,預(yù)先使用第一激光對玻璃基板進(jìn)行處理,以在玻璃基板上的預(yù)設(shè)切割區(qū)形成沿預(yù)設(shè)路徑排布的孔洞,隨后使用第二激光對玻璃基板進(jìn)行加熱處理,由于預(yù)設(shè)切割區(qū)處的孔洞大大減少了各芯片顆粒之間的連接強(qiáng)度以及提供了穩(wěn)定的裂片路徑,可以大大提升裂片效率和裂片效果。 |
