一種GaAs HBT功率器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610172324.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107230708A 公開(kāi)（公告）日 2017-10-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN107230708A 申請(qǐng)公布日 2017-10-03
分類(lèi)號(hào) H01L29/737;H01L23/367 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 周佳輝;郭嘉帥;錢(qián)永學(xué);孟浩 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海昂兆電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張瑾
地址 200100 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路666號(hào)銀冬路122號(hào)5幢5層01單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaAsHBT功率器件，所述GaAsHBT功率器件包括多個(gè)并聯(lián)的HBT晶體管，所述GaAsHBT功率器件的襯底隔離區(qū)開(kāi)設(shè)有背孔，所述GaAsHBT功率器件的襯底有源區(qū)在所述HBT晶體管的背面位置開(kāi)設(shè)有背孔，所述HBT晶體管的發(fā)射極通過(guò)布線(xiàn)金屬與襯底隔離區(qū)的背孔金屬相連。本發(fā)明能夠有效改善GaAsHBT功率器件由于自熱和熱耦合引起的電流增益崩塌現(xiàn)象，提高工作效率。