一種用于耗盡型GaNHEMT器件堆疊封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210141635.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114551249A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551249A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L21/50（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧嵐雁;林河北;梅小杰;解維虎;覃尚育;陳永金 申請（專利權(quán)）人 深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華昌路315號1層（華昌路工業(yè)區(qū)14棟1-3層,17棟1-3層）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了用于耗盡型GaNHEMT器件堆疊封裝方法，通過將耗盡型GaNHEMT器件通過機械減薄得到芯片的晶圓，并將晶圓切割至預(yù)設(shè)尺寸，將膠帶貼在晶圓的背面且用鐵圈固定起來，采用晶片切割機將晶圓片切成一顆顆芯片，將切割后的芯片放置在導(dǎo)線架或基板中的晶片座上，并以銀漿或金?硅共晶黏合法黏住固定送至烘烤，烘烤完成后送入壓焊機物料軌道，先用鋁線后用銅線進行壓焊得到待封裝器件，將待封裝器件的柵極和啟動管的源極分別使用金屬加厚并進行鍵合形成用于耗盡型GaNHEMT器件的堆疊封裝結(jié)構(gòu)，通過在芯片上堆疊封裝Si增強型VDMOS，大大增加了功率器件芯片的熱耗散，提高了器件工作的可靠性。