一種功率器件封裝方法及封裝框架

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111604408.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114334670A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114334670A 申請公布日 2022-04-12
分類號 H01L21/48（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧嵐雁;林河北;梅小杰;解維虎;覃尚育 申請（專利權(quán)）人 深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明香
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華昌路315號1層（華昌路工業(yè)區(qū)14棟1-3層,17棟1-3層）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了功率器件封裝方法，提供用于封裝功率MOS管的封裝框架，封裝框架包括金屬墊片、第一金屬層、第二金屬層、絕緣導(dǎo)熱層和間隔排列的三個金屬電極，絕緣導(dǎo)熱層環(huán)設(shè)于金屬墊片的四周，第一金屬層和所述第二金屬層對稱設(shè)置于絕緣導(dǎo)熱層兩側(cè)，第一金屬層與第二金屬電極連接，第二金屬層與第一金屬電極連接，金屬墊片與第三金屬電極連接，將功率MOS管的漏極與金屬墊片焊接，在封裝框架表面進行金屬蒸發(fā)工藝，在蒸發(fā)金屬表面進行光刻，去除部分蒸發(fā)金屬形成位于封裝框架上的柵極連接線和源極連接線，封裝框架表面進行樹脂包裹、塑封，以形成功率MOS管的直插式封裝，有效避免了單個芯片反復(fù)打線過程，提高了功率MOS管的封裝效率。