用于快速充電管理系統(tǒng)的靜電防護芯片及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111107691.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113937098A | 公開(公告)日 | 2022-01-14 |
申請公布號 | CN113937098A | 申請公布日 | 2022-01-14 |
分類號 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 顧嵐雁;林河北;胡慧雄 | 申請(專利權)人 | 深圳市金譽半導體股份有限公司 |
代理機構 | 深圳峰誠志合知識產權代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
地址 | 518000廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華昌路315號1層(華昌路工業(yè)區(qū)14棟1-3層,17棟1-3層) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了用于快速充電管理系統(tǒng)的靜電防護芯片,包括襯底、形成在襯底上的第一外延層、第一外延層上的第一注入區(qū)、第一注入區(qū)上的第二注入區(qū)及第二注入區(qū)上的第二外延層,自第二外延層延伸至第一外延層內的第一溝槽、位于第一溝槽之間的第二溝槽,第一溝槽內填充氧化硅層,第二溝槽內填充第三外延層,形成在第三外延層內的第三注入區(qū)、第二外延層內的第四注入區(qū)、第一介質層和第二介質層、位于第一介質層和第二介質層之間的第一接觸孔及第二接觸孔,第一接觸孔內和第一介質層上的第一金屬層,第二介質層上和第二接觸孔內的第二金屬層。本發(fā)明還提供用于快速充電管理系統(tǒng)的靜電防護芯片制備方法,提高了放電密度,也降低了器件的制造成本。 |
