一種提純高純鎂的裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910023210.5 申請日 -
公開（公告）號 CN109609777A 公開（公告）日 2019-04-12
申請公布號 CN109609777A 申請公布日 2019-04-12
分類號 C22B9/02;C22B26/22 分類 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 徐春杰;王弋丹;華心雨;任國璐;劉君;張忠明 申請（專利權(quán)）人 銅川華鑄精密科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安弘理專利事務(wù)所 代理人 西安理工大學(xué);陜西西理華鑄新材料科技有限公司
地址 710048 陜西省西安市金花南路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的一種提純高純鎂的裝置，包括電阻爐，電阻爐內(nèi)部套接有不銹鋼坩堝腔，不銹鋼坩堝腔內(nèi)部套接有懸空的中空支架，中空支架上放置純鈦T2坩堝，用于放置待提純工業(yè)鎂錠，不銹鋼堝腔(2)的上端連接冷卻蓋板，冷卻蓋板的底面位于不銹鋼坩堝腔內(nèi)部上固定純銅板，純銅板表面固定純鈦T2基板，用于盛放高純鎂，冷卻蓋板上分別開有氬氣通道和抽真空通道，與外界氬氣設(shè)備和真空泵。裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便。本發(fā)明還公開一種提純鎂的方法，利用不同元素蒸汽壓與溫度的對應(yīng)關(guān)系，使用真空蒸餾PVD法，發(fā)揮鎂蒸汽壓低的特點(diǎn)，升華獲得鎂蒸汽；當(dāng)鎂蒸汽遇到低溫的純鈦T2基板，鎂蒸汽在純鈦T2基板上形核和長大，凝華以獲得高純度的鎂。