異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110035157.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112864284A | 公開(公告)日 | 2021-05-28 |
申請公布號 | CN112864284A | 申請公布日 | 2021-05-28 |
分類號 | H01L31/20;H01L31/0747 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張津燕;吳科俊;王琳;陳金元 | 申請(專利權(quán))人 | 理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 201306 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)江山路2699弄3號廠房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制造方法。所述方法先對N型單晶硅片進(jìn)行制絨及清洗;然后在其正反兩面上分別形成第一、第二本征非晶硅層;接著在第一本征非晶硅層上形成N型非晶硅層;之后在第二本征非晶硅層上形成其中的P型雜質(zhì)濃度沿著遠(yuǎn)離第二本征非晶硅層的方向在X%?Y%的范圍內(nèi)以第一斜率線性增長的第一P型非晶硅層;接著在第一P型非晶硅層上形成其中的P型雜質(zhì)濃度沿著遠(yuǎn)離第一P型非晶硅層的方向在Y%?Z%的范圍內(nèi)以第二斜率線性增長的第二P型非晶硅層;然后在所述N型非晶硅層以及第二P型非晶硅層上分別形成第一、第二透明導(dǎo)電膜;最后在第一、第二透明導(dǎo)電膜上形成第一、第二電極。本發(fā)明有助于改善電池的內(nèi)建電場、提高電池轉(zhuǎn)換效率。 |
