托盤預(yù)熱腔及對應(yīng)的PECVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021443008.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213013087U 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN213013087U 申請公布日 2021-04-20
分類號 H01L31/18(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊華新;馬哲國 申請（專利權(quán)）人 理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)江山路2699弄3號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供托盤預(yù)熱腔及對應(yīng)的PECVD設(shè)備。PECVD設(shè)備包括：加載模塊，其用于將硅片放置在托盤中；托盤轉(zhuǎn)送模塊，其用于將由加載模塊傳送的托盤送至托盤預(yù)熱腔，并接收已預(yù)熱的托盤；托盤預(yù)熱腔，其接收和預(yù)熱托盤至預(yù)設(shè)預(yù)熱溫度并將托盤傳回至托盤轉(zhuǎn)送模塊；加載腔，其配置成接收由托盤轉(zhuǎn)送模塊傳送的、已預(yù)熱的托盤；PECVD工藝腔，其接收由加載腔傳送的托盤，通過本征和摻雜PECVD工藝在托盤所承載的硅片的一面上沉積形成I/N或I/P型非晶硅薄膜；卸載腔，其接收由PECVD工藝腔傳送的托盤；以及卸載模塊，其接收由卸載腔傳送的托盤并將硅片從托盤中卸載。本實用新型能有效提高設(shè)備產(chǎn)能、預(yù)熱靈活性和預(yù)熱效率，并能有效降低設(shè)備成本。??