用于提高異質(zhì)結(jié)太陽能電池良率的CVD設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021600366.X 申請日 -
公開（公告）號 CN212894968U 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號 CN212894968U 申請公布日 2021-04-06
分類號 H01L31/18(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 吳科俊;陳金元;胡宏逵 申請（專利權(quán)）人 理想萬里暉半導體設備（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)江山路2699弄3號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供用于提高異質(zhì)結(jié)太陽能電池良率的CVD設備。所述CVD設備包括：CVD反應腔，其用于進行CVD工藝以在設置于其中的硅片上形成CVD薄膜；上料模塊，其與CVD反應腔的一側(cè)連接用于將承載有硅片的托盤傳送至CVD反應腔，上料模塊包括上料模塊前段和后段；第一測溫模塊，其設置在上料模塊前段上用于測量其所傳送的托盤溫度；以及第一降溫模塊，其設置在上料模塊前段上用于在第一測溫模塊測得的托盤溫度高于第一預設溫度時，在托盤離開上料模塊前段之前將其溫度降低到不高于第一預設溫度。本實用新型能有效抑制太陽能電池制造中因托盤溫度過高導致的硅片邊緣氧化及電池黑邊現(xiàn)象，能有效提高電池良率和推動太陽能電池的量產(chǎn)化進程。??