相位調(diào)制改變PECVD放電腔內(nèi)電磁場分布的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811170053.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111020533B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN111020533B 申請公布日 2022-02-18
分類號 C23C16/505（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉傳生;陳金元 申請（專利權(quán)）人 理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201620上海市松江區(qū)思賢路3255號3幢403室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 在具有射頻電源的PECVD放電腔內(nèi)，通過相位調(diào)制器將電極板上的不同電源饋入點間設(shè)置不同的相位，并在等離子體響應(yīng)時間內(nèi)，改變相位差以及此相位差的持續(xù)時間從而改善等離子體所響應(yīng)的電磁場的均勻性。