基因測序芯片的微電極及其制備方法、基因測序芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911283304.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112986357A | 公開(公告)日 | 2021-06-18 |
申請公布號 | CN112986357A | 申請公布日 | 2021-06-18 |
分類號 | G01N27/327 | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 蘇云鵬;周大雨;孫納納;顧佳燁 | 申請(專利權(quán))人 | 成都今是科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京華睿卓成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 彭武 |
地址 | 610041 四川省成都市高新區(qū)科園南路88號12棟6層601、605號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請實(shí)施例公開了一種基因測序芯片的微電極及其制備方法以及基因測序芯片,該微電極包括襯底、在所述襯底上形成的集流體層以及在所述集流體層上形成的電極層,所述集流體層包括過渡金屬薄膜或其氮化物薄膜或過渡金屬與其氮化物的復(fù)合薄膜,所述電極層包括在所述過渡金屬薄膜或其氮化物薄膜或過渡金屬與其氮化物的復(fù)合薄膜上形成的所述過渡金屬的氮氧化物薄膜。本申請實(shí)施例提高了基因測序芯片中微電極的單位面積電壓驅(qū)動能力,能夠滿足超高循環(huán)次數(shù)的要求,提高了基因測序芯片的通量和穩(wěn)定性。 |
