高靈敏度及穩(wěn)定度的光纖消逝場氫濃度傳感器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710781626.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107449757B 公開（公告）日 2020-01-14
申請公布號 CN107449757B 申請公布日 2020-01-14
分類號 G01N21/41（2006.01） 分類 測量；測試;
發(fā)明人 鐘年丙; 劉寶玉; 田永超; 羅彬彬; 趙明富; 曾學(xué)忠; 曾伍陽; 趙首領(lǐng); 申會文; 蔣斌; 豐紅波; 袁源 申請（專利權(quán)）人 重慶黃桷樹光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶啟恒騰元專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 重慶萬泰電力科技有限公司
地址 402760 重慶市璧山區(qū)劍山路123號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及光纖氣體傳感器，具體涉及高靈敏度及穩(wěn)定度的光纖消逝場氫濃度傳感器及制備方法；包括折射率為n1的光纖纖芯，折射率為n2的光纖包層、光纖保護(hù)層組成的光纖，以及周向設(shè)置在光纖上的傳感器敏感區(qū)，所述傳感器敏感區(qū)成圓柱筒形，其長度為0.5?10cm，其厚度小于光纖的半徑，傳感器敏感區(qū)沿徑向自內(nèi)向外依次設(shè)有厚度均勻的摻雜TiO2加拿大樹脂薄膜層聚多巴胺膜層、氫敏感膜層和PTFE薄膜層，其中，摻雜TiO2加拿大樹脂薄膜層和多巴胺膜層嵌入光纖纖芯中，摻雜TiO2加拿大樹脂薄膜層折射率為n3，n2＜n1＜n3，采用本發(fā)明技術(shù)方案的消逝場光纖傳感器，靈敏度高、性能穩(wěn)定且能動態(tài)響應(yīng)氫濃度變化信息。