一種用于PCB孔銅晶粒分析的樣品的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110705256.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113447339A | 公開(公告)日 | 2021-09-28 |
申請公布號 | CN113447339A | 申請公布日 | 2021-09-28 |
分類號 | G01N1/32(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 王君兆;黃偉 | 申請(專利權)人 | 深圳市美信咨詢有限公司 |
代理機構 | 南京禾易知識產權代理有限公司 | 代理人 | 張松云 |
地址 | 518108廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道松白公路北側方正科技工業(yè)園研發(fā)樓109室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于PCB孔銅晶粒分析的樣品的制備方法,該方法包括以下步驟:樣品鑲嵌:將待分析的樣品用環(huán)氧樹脂包裹,采用室溫固化工藝進行固化8~12小時;機械研磨拋光:采用砂紙研磨至需要觀測的區(qū)域,通過拋光液進行拋光作業(yè);離子研磨:將拋光后的樣品采用氬離子束對樣品表面持續(xù)轟擊深度為1~3微米,去除機械研磨拋光帶來的塑性變形、應變孿晶的影響;成像觀測:利用聚焦離子束對離子拋光后的樣品截面進行離子成像觀測,本發(fā)明引入離子拋光技術,不引入明顯的應力,拋光過程中不會造成孔銅延展變形,保持了孔銅組織的原始狀態(tài);引入離子成像技術,利用晶粒間的取向差異來識別孿晶、晶粒、晶界缺陷,對離子拋光后的樣品直接觀測。 |
