適用于RF器件的封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921539304.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211208425U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-08-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211208425U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-07 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L23/31;H01L23/492;H01P1/20;H01L23/552 | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 王建國(guó);申亞琪 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州捷研芯電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京艾普利德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 蘇州捷研芯電子科技有限公司 |
| 地址 | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)05幢102室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型揭示了適用于RF器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，基板上設(shè)置有從其上表面延伸到下表面的焊盤(pán)，焊盤(pán)通過(guò)金凸點(diǎn)倒裝連接至少一芯片，芯片下表面的微機(jī)電結(jié)構(gòu)朝向所述基板，基板上覆蓋有包裹所述芯片的低流動(dòng)性薄膜，低流動(dòng)性薄膜與所述基板和芯片圍合形成一密閉腔體且其上覆蓋有高固化強(qiáng)度防水膜，高固化強(qiáng)度防水膜上形成有屏蔽層。本方案通過(guò)設(shè)置2層膜結(jié)構(gòu)+1層金屬屏蔽和保護(hù)結(jié)構(gòu)，確保核心功能區(qū)生成一個(gè)密封空腔結(jié)構(gòu)，有效的實(shí)現(xiàn)了小型化可靠性高、電性能好、適合規(guī)?；a(chǎn)、良率高和成本低，此方案可用作聲表面波濾波器SAW、體聲濾波器BAW/FBAR、射頻微機(jī)械（MEMS）開(kāi)關(guān)、有源振蕩器和諧振器等器件，市場(chǎng)前景廣闊，便于推廣應(yīng)用。 |
