低成本低應(yīng)力真空封裝MEMS傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020189667.1 申請日 -
公開(公告)號 CN212222411U 公開(公告)日 2020-12-25
申請公布號 CN212222411U 申請公布日 2020-12-25
分類號 B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王建國;申亞琪 申請(專利權(quán))人 蘇州捷研芯電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京艾普利德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 蘇州捷研芯電子科技有限公司
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)05幢102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型揭示了一種低成本低應(yīng)力真空封裝MEMS傳感器,包括基板以及固設(shè)在所述基板上的MEMS元件,所述基板上固設(shè)有一金屬外殼,所述金屬外殼和所述基板配置界定一用以容置MEMS元件的容置空間,所述容置空間為真空環(huán)境,所述金屬外殼上設(shè)有一可用于抽真空的間隙;所述金屬外殼和基板外整體或部分采用真空覆膜的方式覆蓋有環(huán)氧樹脂層,且所述環(huán)氧樹脂層至少堵塞所述間隙。本實用新型的有益效果主要體現(xiàn)在:環(huán)氧樹脂層覆蓋在金屬外殼上,使容置空間為真空環(huán)境,杜絕應(yīng)力對芯片造成影響,提高靈敏度,且延長該傳感器的使用壽命。??