一種MicroOLED器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110719205.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113437240A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437240A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L51/52（2006.01）I;H01L51/50（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹君;劉勝芳;趙錚濤 申請（專利權(quán)）人 安徽熙泰智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 馬榮
地址 241000安徽省蕪湖市蕪湖長江大橋綜合經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高安街道經(jīng)四路一號辦公樓五樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種應(yīng)用于Micro OLED技術(shù)領(lǐng)域的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法，本發(fā)明還涉及一種Micro OLED器件結(jié)構(gòu)，所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)制備方法的制備步驟為：在硅片基底上制備CMOS驅(qū)動電路，形成CMOS基板（a）；在CMOS基板（a）上制備Anode層（b）；在Anode層（b）上通過黃光制程制備PDL層（c），PDL層（c）分為三層，第一層為聚酰亞胺或無機(jī)層，第二層為Ag，第三層為聚酰亞胺或無機(jī)層；蒸鍍制程制備OLED層（d）；制備TFE層（h）；完成后續(xù)黃光及模組制程，本發(fā)明所述的Micro OLED器件結(jié)構(gòu)制備方法及結(jié)構(gòu)，使得反射層能夠?qū)⑿鄙涞墓饩€反射回去，減輕出光的散射效應(yīng)，達(dá)到降低串光的效果。