一種硅基真實RGB顯示器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202120800104.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN214313213U | 公開(公告)日 | 2021-09-28 |
申請公布號 | CN214313213U | 申請公布日 | 2021-09-28 |
分類號 | H01L27/32(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李維維;劉勝芳;趙錚濤;呂磊;許嵩;李雪原 | 申請(專利權(quán))人 | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 尹婷婷 |
地址 | 241000安徽省蕪湖市蕪湖長江大橋綜合經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高安街道經(jīng)四路一號辦公樓五樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種硅基真實RGB顯示器件,所述硅基真實RGB顯示器件的ITO陽極、空穴阻擋層之間設(shè)置混合結(jié)構(gòu)層;所述混合結(jié)構(gòu)層包括紅光光學(xué)補(bǔ)償層、空穴注入層、空穴傳輸層、共用藍(lán)光發(fā)光層、紅光發(fā)光層和綠光發(fā)光層;其中,所述紅光光學(xué)補(bǔ)償層設(shè)置在ITO陽極之上,但所述ITO陽極的上表面并未被所述紅光光學(xué)補(bǔ)償層完全覆蓋;所述共用藍(lán)光發(fā)光層設(shè)在所述空穴阻擋層之下、或所述共用藍(lán)光發(fā)光層設(shè)在所述空穴傳輸層之上;本實用新型的技術(shù)方案改善了硅基真實RGB顯示器件色域,色域值可提升到110%以上;無需設(shè)置電荷產(chǎn)生層(CGL),有利于降低硅基中的串?dāng)_問題,在制備時僅使用了2張F(tuán)MM,解決了硅基真實RGB高PPI的迫切需求。 |
