半導(dǎo)體模型及其模型建立方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110429245.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113128155A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113128155A 申請公布日 2021-07-16
分類號 G06F30/367（2020.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 傅飛;朱能勇 申請（專利權(quán)）人 南京華大九天科技有限公司
代理機構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;張靖琳
地址 211800江蘇省南京市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)南京片區(qū)研創(chuàng)園團結(jié)路99號孵鷹大廈2305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種半導(dǎo)體模型及其模型建立方法，該半導(dǎo)體模型包括：場效應(yīng)晶體管模型，包括場效應(yīng)晶體管的柵極、源極、漏極和體電極四個連接端；第一二極管模型，包括第一二極管，連接在場效應(yīng)晶體管模型的體電極和漏極之間；第二二極管模型，包括第二二極管，連接在場效應(yīng)晶體管模型的體電極和源極之間，第一二極管模型和第二二極管模型通過擊穿電壓參數(shù)和溫度參數(shù)來表征場效應(yīng)晶體管的漏電特性和電容電壓特性。該半導(dǎo)體模型及其模型建立方法通過在場效應(yīng)晶體管外部構(gòu)建第一二極管模型和第二二極管模型，并通過擊穿電壓參數(shù)和溫度參數(shù)來表征場效應(yīng)晶體管的漏電特性和電容電壓特性，使得模型能更好地反映器件特性，解決收斂性問題并保證仿真準確性。