冷壁流化床及其應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310120330.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103172067B 公開（公告）日 2014-09-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN103172067B 申請(qǐng)公布日 2014-09-24
分類號(hào) C01B33/03(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 楊愷;周大榮;鄭小勇;孫建榮;蔣敏;顧豪杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫中彩科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214183 江蘇省無錫市惠山區(qū)玉祁街道玉東開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種冷壁流化床及其應(yīng)用，屬于多晶硅制備技術(shù)領(lǐng)域。其提供一種以改進(jìn)的冷壁流化床，及以其為設(shè)備，用三氯氫硅（SiHCl3）和H2為原料，在冷壁流化床內(nèi)，高溫加壓下發(fā)生還原反應(yīng)，制備高純度顆粒狀太陽能級(jí)多晶硅。本發(fā)明以此冷壁流化床為基礎(chǔ)，制備高純度顆粒狀太陽能級(jí)多晶硅，其生產(chǎn)過程簡(jiǎn)單方便，適于工業(yè)化生產(chǎn)。