冷壁流化床及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310120330.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103172067A 公開（公告）日 2013-06-26
申請公布號 CN103172067A 申請公布日 2013-06-26
分類號 C01B33/03(2006.01)I 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 楊愷;周大榮;鄭小勇;孫建榮;蔣敏;顧豪杰 申請（專利權(quán)）人 無錫中彩科技有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 曹祖良
地址 214183 江蘇省無錫市惠山區(qū)玉祁街道玉東開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種冷壁流化床及其應(yīng)用，屬于多晶硅制備技術(shù)領(lǐng)域。其提供一種以改進的冷壁流化床，及以其為設(shè)備，用三氯氫硅（SiHCl3）和H2為原料，在冷壁流化床內(nèi)，高溫加壓下發(fā)生還原反應(yīng)，制備高純度顆粒狀太陽能級多晶硅。本發(fā)明以此冷壁流化床為基礎(chǔ)，制備高純度顆粒狀太陽能級多晶硅，其生產(chǎn)過程簡單方便，適于工業(yè)化生產(chǎn)。