一種多孔硅/DPP光電復(fù)合材料的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810062319.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101276881A 公開(kāi)（公告）日 2008-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN101276881A 申請(qǐng)公布日 2008-10-01
分類號(hào) H01L51/48(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳紅征;劉楠;施敏敏;楊立功;吳剛;汪茫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州集美新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡紅娟
地址 310027浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種多孔硅/DPP光電復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：將單晶硅片洗凈去油污，并在丙酮、乙醇和去離子水中分別進(jìn)行超聲處理，烘干；將烘干的單晶硅片用氫氟酸清洗除去表面的SiO2，在處理后的單晶硅片背面濺射一層金膜；在通電條件下，將覆有金膜的單晶硅片作為陽(yáng)極，鉑片作為陰極，置入電解液中進(jìn)行電化學(xué)腐蝕；在通電條件下，將腐蝕后的單晶硅片作為陰極，鉑片作為陽(yáng)極，置入含三氟乙酸的DPP飽和溶液中進(jìn)行電化學(xué)沉積，真空干燥沉積了DPP的單晶硅片。本發(fā)明的制備方法工藝簡(jiǎn)單，另外多孔硅與DPP能級(jí)結(jié)構(gòu)匹配，因此多孔硅/DPP光電復(fù)合材料具有在光伏器件領(lǐng)域獲得應(yīng)用的潛力。