一種薄膜太陽能芯片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201220321366.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN202721143U | 公開（公告）日 | 2013-02-06 |
| 申請公布號 | CN202721143U | 申請公布日 | 2013-02-06 |
| 分類號 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 彭壽;馬給民;保羅·比帝;向光;王蕓 | 申請（專利權）人 | 廣東凱盛光電科技有限公司 |
| 代理機構 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 廣東省東莞市松山湖科技產業(yè)園區(qū)工業(yè)北四路松山湖工業(yè)大廈414-418室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種薄膜太陽能芯片，1.0微米標準厚度的銅銦鎵硒薄膜層電鍍在1.0毫米標準厚度的玻璃基板上，中間有鉬薄膜所述銅銦鎵硒薄膜層上面鍍有硫化鎘薄膜層、氧化鋅絕緣層和透明導電氧化鋅參鋁薄膜層，所述玻璃基板內有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜，透明導電氧化鋅參鋁薄膜層上鍍鎳，鎳上有導電鋁薄膜，該導電鋁薄膜上面加上一層保護鎳薄膜，保護鎳薄膜上有鈉鈣覆蓋玻璃，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生產。 |
