一種薄膜太陽能芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120164325.5 申請日 -
公開（公告）號 CN202268358U 公開（公告）日 2012-06-06
申請公布號 CN202268358U 申請公布日 2012-06-06
分類號 H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬給民 申請（專利權）人 廣東凱盛光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)海王大廈A-13F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種薄膜太陽能芯片，1.0微米標準厚度的銅銦鎵硒薄膜層電鍍在1.0毫米標準厚度的玻璃基板上，中間有鉬薄膜所述銅銦鎵硒薄膜層上面鍍有硫化鎘薄膜層、氧化鋅絕緣層和透明導電氧化鋅參鋁薄膜層，所述玻璃基板內有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜，透明導電氧化鋅參鋁薄膜層上鍍鎳，鎳上有導電鋁薄膜，該導電鋁薄膜上面加上一層保護鎳薄膜，保護鎳薄膜上有鈉鈣覆蓋玻璃，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生產。