石墨烯/Cu-Cu2S復合材料及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010359307.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111504976B | 公開(公告)日 | 2021-12-28 |
申請公布號 | CN111504976B | 申請公布日 | 2021-12-28 |
分類號 | G01N21/65(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/20(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 徐洪秀 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳米瑞科信息技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 濰坊諾誠智匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 榮曉宇 |
地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道51號航空航天大廈1號樓2107 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉一種石墨烯/Cu?Cu2S復合材料,包括形成于硅片上利用聚苯乙烯微球排列形成的二維結(jié)構(gòu)陣列模板,在該模板上交替沉積的Cu?Cu2S層和石墨烯層,Cu?Cu2S層和石墨烯層的沉積厚度分別是50?100nm和2?10nm。以具有原始的微米級或微納米級粗糙度的聚苯乙烯膠體球模板為襯底,分別通過磁控濺射和電子回旋等離子體濺射沉積Cu?Cu2S層和石墨烯層,可以顯著增強被檢測探針分子的信號強度并克服其對于激發(fā)光源的依賴性,拓寬了其拉曼分析應用范圍。 |
