一種碳化硅用拋光液的制備和使用方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201010591103.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN102127371B | 公開(公告)日 | 2015-06-10 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102127371B | 申請(qǐng)公布日 | 2015-06-10 |
分類號(hào) | H01L21/304(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張賀;陳小龍;黃青松;王錫銘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 215163 江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城昆侖山路189號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種用于高質(zhì)量拋光碳化硅晶片表面的拋光液、拋光液的制備方法以及使用該拋光液的方法。該拋光液由去離子水、二氧化硅拋光液、輔助氧化劑、PH調(diào)節(jié)劑配制而成。利用此方法配制的拋光液無氣味,分散均勻,狀態(tài)穩(wěn)定,無沉淀,可適當(dāng)循環(huán)使用,加工晶片去除速率快,加工出的碳化硅晶片較光亮,50倍顯微鏡下觀測(cè)無明顯劃痕且平整、均與,表面粗糙度經(jīng)原子力顯微鏡檢測(cè)可穩(wěn)定達(dá)到納米級(jí)。該拋光液的使用循環(huán)次數(shù),可以通過改變加入輔助氧化劑和PH調(diào)節(jié)劑的量或者二者不同的比例來調(diào)節(jié)。 |
