一種清洗碳化硅晶片表面污染物的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010179864.6 申請日 -
公開（公告）號 CN101979160B 公開（公告）日 2014-05-14
申請公布號 CN101979160B 申請公布日 2014-05-14
分類號 B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;C23G1/02(2006.01)I 分類 清潔;
發(fā)明人 郭鈺;陳小龍;王波;張賀;王錫銘;彭同華;郭晨麗;鮑惠強;李龍遠(yuǎn);鄭紅軍 申請（專利權(quán)）人 蘇州天科合達藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路66號1號樓2005室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工藝，該清洗工藝包括有機清洗和無機清洗兩部分內(nèi)容。有機清洗包括去除表面黏著的蠟質(zhì)和表面其余的部分有機污染物的步驟；無機清洗包括通過氧化-去除氧化層來去除碳化硅表面殘留的有機污染物和其它強吸附性物質(zhì)的步驟，還包括通過酸洗來去除表面的無機污染物的步驟。該清洗工藝能夠最大限度的去除表面的污染和粒子，極大地提高了碳化硅晶片的即時使用效率。