一種清洗碳化硅晶片表面污染物的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010179864.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101979160A 公開(kāi)（公告）日 2011-02-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN101979160A 申請(qǐng)公布日 2011-02-23
分類號(hào) B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;C23G1/02(2006.01)I 分類 清潔;
發(fā)明人 郭鈺;陳小龍;王波;張賀;王錫銘;彭同華;郭晨麗;鮑惠強(qiáng);李龍遠(yuǎn);鄭紅軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路66號(hào)1號(hào)樓2005室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工藝，該清洗工藝包括有機(jī)清洗和無(wú)機(jī)清洗兩部分內(nèi)容。有機(jī)清洗包括去除表面黏著的蠟質(zhì)和表面其余的部分有機(jī)污染物的步驟；無(wú)機(jī)清洗包括通過(guò)氧化-去除氧化層來(lái)去除碳化硅表面殘留的有機(jī)污染物和其它強(qiáng)吸附性物質(zhì)的步驟，還包括通過(guò)酸洗來(lái)去除表面的無(wú)機(jī)污染物的步驟。該清洗工藝能夠最大限度的去除表面的污染和粒子，極大地提高了碳化硅晶片的即時(shí)使用效率。