一種梁膜結(jié)構(gòu)的硅壓力傳感器芯片制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111110193.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113790834A 公開（公告）日 2021-12-14
申請公布號 CN113790834A 申請公布日 2021-12-14
分類號 G01L1/18（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王帆;郭立建;趙娟;喻磊 申請（專利權(quán)）人 華東光電集成器件研究所
代理機構(gòu) 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊晉弘
地址 233030安徽省蚌埠市經(jīng)開區(qū)湯和路2016號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種梁膜結(jié)構(gòu)的硅壓力傳感器芯片制作方法，它包括以下步驟：a）第一硅片和第二硅片的鍵合，b）第一硅片的減薄，c）壓阻的制作，d）壓阻橋的制作，e）梁結(jié)構(gòu)的制作，f）背腔的制作。本發(fā)明操作簡單、實用，制作流程清晰，能可以精確控制硅梁和硅膜的厚度，提高了壓力傳感器芯片性能的一致性。