一種島膜結(jié)構(gòu)的硅壓力傳感器芯片制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111110194.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113790835A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113790835A 申請(qǐng)公布日 2021-12-14
分類號(hào) G01L1/18（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 王帆;周寧;曹衛(wèi)達(dá);白建新 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華東光電集成器件研究所
代理機(jī)構(gòu) 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊晉弘
地址 233030安徽省蚌埠市經(jīng)開(kāi)區(qū)湯和路2016號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種島膜結(jié)構(gòu)的硅壓力傳感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步驟1）選取第一硅片（1）；2）背腔和硅島制作；3）襯底片制作；4）晶圓級(jí)鍵合；5）底層硅和埋氧層去除；6）壓阻制作；7）接觸孔制作；8）引線制作。本發(fā)明具有操作方便、步驟清晰，可以使得硅島膜結(jié)構(gòu)一次成型，硅島的高度可以精確控制，并且兼容濕法腐蝕工藝。