一種MOCVD反應(yīng)室及其應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110223326.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113088929A 公開（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113088929A 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類號(hào) C23C16/44（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃珊珊;黃輝廉;劉雪珍;劉建慶;楊文奕 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中山德華芯片技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 伍傳松
地址 528437廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū)火炬路22號(hào)之二第3-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOCVD反應(yīng)室及其應(yīng)用，該反應(yīng)室包括反應(yīng)室腔體（1）、上承載盤（2）、下承載盤（3）、氫化物氣源進(jìn)氣口（4）、有機(jī)化合物氣源進(jìn)氣口（5）、擋板（6）和出氣口（7）；其中，所述上承載盤（2）中還設(shè)有上加熱絲；所述下承載盤（3）中還設(shè)有下加熱絲和高度調(diào)整裝置；所述下承載盤（3）能夠上下移動(dòng)；所述擋板（6）能夠上下移動(dòng)。其用于原位雙面生長(zhǎng)，通過將有機(jī)化合物氣源及氫化物氣源進(jìn)氣口分開并用擋板隔離開來(lái)，避免了預(yù)反應(yīng)，降低反應(yīng)室內(nèi)附著物、顆粒物等產(chǎn)生的幾率，改善了外延片的表觀。