一種倒裝LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110371016.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112768583B 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN112768583B 申請公布日 2021-07-27
分類號 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁福盛;肖祖峰;黃嘉明;張超宇;丁亮 申請（專利權(quán)）人 中山德華芯片技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 伍傳松
地址 528437廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū)火炬路22號之二第3-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種倒裝LED芯片及其制備方法，屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提出的倒裝LED芯片，包括ITO層，ITO層的一側(cè)具有粗糙表面；復(fù)合反射層，復(fù)合反射層包括沿粗糙表面依次疊加的銀鏡層、二氧化硅層和DBR層。本發(fā)明中，由于ITO層的粗糙表面，增加了ITO層與銀鏡層之間的粘結(jié)強(qiáng)度，因此可省略傳統(tǒng)倒裝LED芯片中，ITO層與銀鏡層之間的金屬粘結(jié)層，節(jié)約了成本，提升了亮度；二氧化硅層，兼具絕緣層和銀鏡層的保護(hù)層的作用，因此可省略傳統(tǒng)倒裝LED芯片中，金屬保護(hù)層的設(shè)置，節(jié)約了成本，增加了良率。